Výrobca Číslo produktu:
SI8424DB-T1-E1
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI8424DB-T1-E1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Podrobný popis:
N-Channel 8 V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventár:
12966437
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI8424DB-T1-E1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
8 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
31mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1950 pF @ 4 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
4-Microfoot
Balenie / puzdro
4-XFBGA, CSPBGA
Základné číslo produktu
SI8424
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI8424DB-T1-E1CT
SI8424DBT1E1
SI8424DB-T1-E1DKR
SI8424DB-T1-E1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI8424CDB-T1-E1
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2000
ČÍSLO DIELU
SI8424CDB-T1-E1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJA3432-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
MSJW20N65-BP
MOSFET N-CH TO247
SIR874DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
