Výrobca Číslo produktu:
SIHB053N60E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHB053N60E-GE3-DG
Popis:
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
724 Ks Nové Originálne Na Sklade
12964080
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHB053N60E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
54mOhm @ 26.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3722 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
278W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
742-SIHB053N60E-GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FCPF360N65S3R0L-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
SUP70042E-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-
NTH4L015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
