SIHB30N60E-E3
Výrobca Číslo produktu:

SIHB30N60E-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHB30N60E-E3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

Online RFQ
12787115
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHB30N60E-E3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB30

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SIHB30N60E-E3-DG
Technické listy
SIHB30N60E-E3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34NM60ND-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.89
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB34N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.85
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB34NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB34NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB36NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
STB36NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHB30N60ET5-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
800
ČÍSLO DIELU
SIHB30N60ET5-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.61
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHB18N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

vishay-siliconix

SQM90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 95A TO263