SIHB18N60E-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHB18N60E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHB18N60E-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

Online RFQ
12787122
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHB18N60E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1640 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
179W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB18

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SIHB18N60E-GE3-DG
Technické listy
SIHB18N60E-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXTA24N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
50
ČÍSLO DIELU
IXTA24N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.52
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1748
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
250
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.56
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB28N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB28N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R165CPATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3135
ČÍSLO DIELU
IPB60R165CPATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.21
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

vishay-siliconix

SQM90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

vishay-siliconix

SIHB11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK