SIHB6N65E-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHB6N65E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHB6N65E-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

12919026
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHB6N65E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
820 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB6

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHB6N65E-GE3CT-DG
SIHB6N65E-GE3TR
SIHB6N65E-GE3CT
SIHB6N65E-GE3TR-DG
SIHB6N65E-GE3TRINACTIVE

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STB11NM60T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
622
ČÍSLO DIELU
STB11NM60T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.81
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI6433BDQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP

vishay-siliconix

SIHW70N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD

vishay-siliconix

SI4396DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

vishay-siliconix

SIHF15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220