Výrobca Číslo produktu:
SIHD14N60ET5-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHD14N60ET5-GE3-DG
Popis:
N-CHANNEL 600V
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
2996 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977849
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHD14N60ET5-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1205 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
147W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SIHD14N60ET5-GE3CT
742-SIHD14N60ET5-GE3TR
742-SIHD14N60ET5-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIHD14N60ET4-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2960
ČÍSLO DIELU
SIHD14N60ET4-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.85
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SIHD14N60ET1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1644
ČÍSLO DIELU
SIHD14N60ET1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ850EP-T2_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SIHP15N50E-BE3
N-CHANNEL 500V
SI2366DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET