Výrobca Číslo produktu:
SIHFL110TR-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHFL110TR-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventár:
2500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786954
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHFL110TR-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
540mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
SIHFL110
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
742-SIHFL110TR-GE3CT
742-SIHFL110TR-GE3TR
SIHFL110TR-GE3-DG
742-SIHFL110TR-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHB12N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
SIJ188DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
SIHD6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
