Výrobca Číslo produktu:
SIHG050N60E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG050N60E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
494 Ks Nové Originálne Na Sklade
12966768
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG050N60E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
51A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3459 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
278W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG050
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW56N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31
ČÍSLO DIELU
STW56N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.61
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW57N65M5-4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
33
ČÍSLO DIELU
STW57N65M5-4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.48
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
R6024KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
PJA138L_R1_00001
SOT-23, MOSFET
STWA30N65DM6AG
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
