Výrobca Číslo produktu:
SIHG17N80AE-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG17N80AE-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
2000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12945156
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG17N80AE-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1260 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
179W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG17
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
742-SIHG17N80AE-GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
SIHB11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
