Výrobca Číslo produktu:
SIHG22N60AE-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG22N60AE-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
12786433
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG22N60AE-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1451 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
179W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPW60R180C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
218
ČÍSLO DIELU
IPW60R180C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.58
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPW60R180P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
237
ČÍSLO DIELU
IPW60R180P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.54
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW31N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6
ČÍSLO DIELU
STW31N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.20
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
SIS439DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
