Výrobca Číslo produktu:
SIHP24N65EF-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHP24N65EF-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12786832
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHP24N65EF-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2656 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP24
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP65R190E6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
580
ČÍSLO DIELU
IPP65R190E6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.52
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCP190N65F
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1600
ČÍSLO DIELU
FCP190N65F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.98
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP60R160P6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
478
ČÍSLO DIELU
IPP60R160P6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.55
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD23N06-31-GE3
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
SIR474DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
