Výrobca Číslo produktu:
SIR640ADP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR640ADP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 41.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12786923
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR640ADP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
41.6A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4240 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR640
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR640ADP-T1-GE3TR
SIR640ADP-T1-GE3CT
SIR640ADP-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1173
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
112698
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSC022N04LSATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
18064
ČÍSLO DIELU
BSC022N04LSATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1G150MNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RS1G150MNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E180GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4770
ČÍSLO DIELU
RQ3E180GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.21
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUP60N06-12P-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
SUM90N08-4M8P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
