SIR870DP-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIR870DP-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIR870DP-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

3415 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918541
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIR870DP-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2840 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR870

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SIR870DP-T1-GE3-DG
Technické listy
SIR870DP-T1-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR870DP-T1-GE3TR
SIR870DPT1GE3
SIR870DP-T1-GE3DKR
SIR870DP-T1-GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI4630DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 40A 8SO

vishay-siliconix

SI4836DY-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 17A 8SO

vishay-siliconix

SIA814DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO