Výrobca Číslo produktu:
SIRA52DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIRA52DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12920238
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIRA52DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7150 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIRA52
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Výkresy produktov
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIRA52DP-T1-GE3CT
SIRA52DP-T1-GE3TR
SIRA52DP-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1173
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
112698
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1G150MNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RS1G150MNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E180GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4770
ČÍSLO DIELU
RQ3E180GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1G260MNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2296
ČÍSLO DIELU
RS1G260MNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.77
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQ3461EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
SIA430DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
