Výrobca Číslo produktu:
SIS434DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIS434DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
1877 Ks Nové Originálne Na Sklade
12917964
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIS434DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1530 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SIS434
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIS434DN-T1-GE3DKR
SIS434DN-T1-GE3TR
SIS434DN-T1-GE3CT
SIS434DNT1GE3
SIS434DN-T1-GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ7E110AJTCR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1294
ČÍSLO DIELU
RQ7E110AJTCR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN4008LFG-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
23493
ČÍSLO DIELU
DMN4008LFG-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN4008LFG-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
DMN4008LFG-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
112698
ČÍSLO DIELU
RQ3G100GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3G150GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5884
ČÍSLO DIELU
RQ3G150GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
SI5441BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
SUD50N10-18P-E3
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
