Výrobca Číslo produktu:
SIZ728DT-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIZ728DT-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6PWRPAIR
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Inventár:
12916967
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIZ728DT-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A, 35A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.7mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
890pF @ 12.5V
Výkon - Max
27W, 48W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-PowerPair™
Balík zariadení dodávateľa
6-PowerPair™
Základné číslo produktu
SIZ728
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIZ728DT-T1-GE3CT
SIZ728DT-T1-GE3TR
SIZ728DTT1GE3
SIZ728DT-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7222DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
SI5904DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
SI1024X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
