Výrobca Číslo produktu:
SQ4470EY-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQ4470EY-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 16A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
975 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786198
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQ4470EY-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3165 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
7.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SQ4470
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SQ4470EY-T1_GE3-DG
SQ4470EY-T1_GE3TR
SQ4470EY-T1-GE3-DG
SQ4470EY-T1_GE3DKR
SQ4470EY-T1-GE3
SQ4470EY-T1_GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS5670
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21413
ČÍSLO DIELU
FDS5670-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SQ4470EY-T1_BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2459
ČÍSLO DIELU
SQ4470EY-T1_BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHP25N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
SIHP30N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
SQS415ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
