Výrobca Číslo produktu:
SQJ457EP-T1_BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJ457EP-T1_BE3-DG
Popis:
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12977799
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJ457EP-T1_BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJ457EP-T1_BE3TR
742-SQJ457EP-T1_BE3DKR
742-SQJ457EP-T1_BE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQJ457EP-T1_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13528
ČÍSLO DIELU
SQJ457EP-T1_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SQJ457EP-T2_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8710
ČÍSLO DIELU
SQJ457EP-T2_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ170ELP-T1_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ415EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SI2338DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET