Výrobca Číslo produktu:
SQJA20EP-T1_BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQJA20EP-T1_BE3-DG
Popis:
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 22.5A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
13000389
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQJA20EP-T1_BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SQJA20EP-T1_BE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQJA20EP-T1_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8
ČÍSLO DIELU
SQJA20EP-T1_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.50
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMT8008SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMNH15H110SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
G10N03S
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M
