Výrobca Číslo produktu:
SQS460EN-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQS460EN-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
2900 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786012
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQS460EN-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
755 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
39W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SQS460
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQS460EN-T1-GE3
SQS460EN-T1_GE3DKR
SQS460EN-T1_GE3CT
SQS460EN-T1-GE3-DG
SQS460EN-T1_GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQS460EN-T1_BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
61809
ČÍSLO DIELU
SQS460EN-T1_BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR404DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
SIA443DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
