Výrobca Číslo produktu:
SQS840EN-T1_GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SQS840EN-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
1863 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786865
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SQS840EN-T1_GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1031 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SQS840
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SQS840EN-T1_GE3DKR
SQS840EN-T1_GE3TR
SQS840EN-T1_GE3CT
SQS840EN-T1-GE3
SQS840EN-T1_GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SQS840EN-T1_BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5968
ČÍSLO DIELU
SQS840EN-T1_BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SISS32DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
SIR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
