Výrobca Číslo produktu:
SIR608DP-T1-RE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR608DP-T1-RE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 45 V 51A (Ta), 208A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12786886
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR608DP-T1-RE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
45 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
51A (Ta), 208A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8900 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR608
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR608DP-T1-RE3CT
SIR608DP-T1-RE3TR
SIR608DP-T1-RE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1173
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1L145GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1003
ČÍSLO DIELU
RS1L145GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHG70N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
SIHB33N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
SUP90N06-6M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
