Výrobca Číslo produktu:
SUP90N06-6M0P-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUP90N06-6M0P-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
581 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786896
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUP90N06-6M0P-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4700 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 272W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SUP90
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SUP90N06-6M0P-E3CT-DG
SUP90N06-6M0P-E3DKRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3TR-DG
SUP90N06-6M0P-E3TR
SUP90N06-6M0P-E3TRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3CT
SUP90N06-6M0P-E3DKR
SUP90N06-6M0P-E3DKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
