Výrobca Číslo produktu:
SUD50P06-15-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD50P06-15-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12786901
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD50P06-15-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4950 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 113W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
SUD50P0615GE3
SUD50P06-15-GE3DKR
SUD50P06-15-GE3CT
SUD50P06-15-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2361
ČÍSLO DIELU
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.84
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2000
ČÍSLO DIELU
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SUD50P06-15-BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3800
ČÍSLO DIELU
SUD50P06-15-BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
SIS407ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
