SUM40010EL-GE3

Výrobca Číslo produktu:

SUM40010EL-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUM40010EL-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Podrobný popis:

N-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

4883 Ks Nové Originálne Na Sklade

12786913

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

GVx6

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

SUM40010EL-GE3 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

ThunderFET®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

40 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

120A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

230 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

11155 pF @ 30 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

375W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263 (D2PAK)

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

SUM40010

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

SUM40010EL-GE3-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

800

Iné mená

SUM40010EL-GE3CT

SUM40010EL-GE3TR

SUM40010EL-GE3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIR640ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK

vishay-siliconix

SUP60N06-12P-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

vishay-siliconix

SUP90P06-09L-E3

MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB