Výrobca Číslo produktu:
SUB75P03-07-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUB75P03-07-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12786899
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUB75P03-07-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 187W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SUB75
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
SUB75P03-07-E3-DG
SUB75P0307E3
SUB75P03-07-E3CT
SUB75P03-07-E3DKR
SUB75P03-07-E3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SUM110P04-05-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
46039
ČÍSLO DIELU
SUM110P04-05-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.07
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
