Výrobca Číslo produktu:
SUM65N20-30-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUM65N20-30-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
5214 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786003
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUM65N20-30-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SUM65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
SUM65N20-30-E3CT
SUM65N20-30-E3-DG
SUM65N20-30-E3TR
SUM65N2030E3
SUM65N20-30-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
SIUD406ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
