Výrobca Číslo produktu:
SUP70060E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUP70060E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12787500
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUP70060E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Bulk
Seriál
ThunderFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
131A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3330 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SUP70060
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD19531KCS
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
163
ČÍSLO DIELU
CSD19531KCS-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.82
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXFP180N10T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFP180N10T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.00
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQS423EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
SIHB15N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
