Výrobca Číslo produktu:
VQ1001P-2
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
VQ1001P-2-DG
Popis:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Inventár:
12787764
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
VQ1001P-2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
4 N-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
830mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
110pF @ 15V
Výkon - Max
2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
-
Balík zariadení dodávateľa
14-DIP
Základné číslo produktu
VQ1001
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
