Výrobca Číslo produktu:
IRFPE40PBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFPE40PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
168 Ks Nové Originálne Na Sklade
13053035
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFPE40PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Balenie
Tube
Stav dielu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IRFPE40
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
*IRFPE40PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFPE50PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
353
ČÍSLO DIELU
IRFPE50PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.07
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW8NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
241
ČÍSLO DIELU
STW8NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.63
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR310TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRFSL31N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
IRFD224
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
