Výrobca Číslo produktu:
SI3585DV-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3585DV-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
13056194
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3585DV-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Výrobca
Vishay Siliconix
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A, 1.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.2nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
830mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Základné číslo produktu
SI3585
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI3585DV-T1-GE3CT
SI3585DVT1GE3
SI3585DV-T1-GE3DKR
SI3585DV-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDC6327C
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6259
ČÍSLO DIELU
FDC6327C-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SI3585CDV-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13694
ČÍSLO DIELU
SI3585CDV-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSL215CH6327XTSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
23807
ČÍSLO DIELU
BSL215CH6327XTSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI1967DH-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
SI5947DU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI5902BDC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
