Výrobca Číslo produktu:
SIHP17N80E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHP17N80E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
1000 Ks Nové Originálne Na Sklade
13010786
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHP17N80E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Balenie
Tube
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2408 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP17
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHP17N80E-GE3-ND
742-SIHP17N80E-GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
VP0300B-E3
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
SQM50034EL_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
CSD17382F4T
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
