SIR184DP-T1-RE3
Výrobca Číslo produktu:

SIR184DP-T1-RE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIR184DP-T1-RE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 20.7A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

22806 Ks Nové Originálne Na Sklade
13007589
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIR184DP-T1-RE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.7A (Ta), 73A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1490 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR184

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SIR184DP-T1-RE3-DG
Technické listy
SIR184DP-T1-RE3
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay

SIB408DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6

vishay

SQM70060EL_GE3

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

vishay

SIHG73N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

vishay

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET N-CH 30V 42A TO252