C3M0021120D
Výrobca Číslo produktu:

C3M0021120D

Product Overview

Výrobca:

Wolfspeed, Inc.

Číslo dielu:

C3M0021120D-DG

Popis:

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 100A (Tc) 469W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventár:

986 Ks Nové Originálne Na Sklade
13270055
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

C3M0021120D Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Wolfspeed
Balenie
Tube
Seriál
C3M™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28.8mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.6V @ 17.7mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
160 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+15V, -4V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4818 pF @ 1000 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
469W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
C3M0021120

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
1697-C3M0021120D
-3312-C3M0021120D

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMPH6250S-7

MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23

diodes

DMG3401LSNQ-7

MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3

diodes

DMTH6005LFG-7

MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI

diodes

DMTH69M8LFVW-13

MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI