Výrobca Číslo produktu:
DMG3N60SCT
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMG3N60SCT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventár:
12888518
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMG3N60SCT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
354 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB (Type TH)
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
DMG3N60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP4NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STP4NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP3N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
841
ČÍSLO DIELU
STP3N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTP4N80P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTP4N80P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3017SFGQ-13
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
DMT69M8LFV-7
MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
BSS138K-7
MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K
