Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
DMJ70H601SK3-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMJ70H601SK3-13-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
Online RFQ
12884524
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMJ70H601SK3-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
686 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
DMJ70
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK560P65Y,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4898
ČÍSLO DIELU
TK560P65Y,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD8N60DM2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3630
ČÍSLO DIELU
STD8N60DM2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD80R280P7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10179
ČÍSLO DIELU
IPD80R280P7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STD10NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6369
ČÍSLO DIELU
STD10NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SPD08N50C3ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12211
ČÍSLO DIELU
SPD08N50C3ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.77
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
DMP2109UVT-13
MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
DMPH4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8