Výrobca Číslo produktu:
DMN1054UCB4-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMN1054UCB4-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Podrobný popis:
N-Channel 8 V 2.7A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount X1-WLB0808-4
Inventár:
54225 Ks Nové Originálne Na Sklade
12884515
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMN1054UCB4-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
8 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
42mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
700mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
908 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
740mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X1-WLB0808-4
Balenie / puzdro
4-XFBGA, WLBGA
Základné číslo produktu
DMN1054
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DMN1054UCB4-7DICT
DMN1054UCB4-7DITR
DMN1054UCB4-7DIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN4026SK3-13
MOSFET N-CH 40V 28A TO252
DMJ70H601SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
