Výrobca Číslo produktu:
DMT10H009LPS-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT10H009LPS-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 90A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventár:
2159 Ks Nové Originálne Na Sklade
12882617
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT10H009LPS-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2309 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
DMT10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMT10H009LPS-13TR
31-DMT10H009LPS-13DKR
31-DMT10H009LPS-13CT
DMT10H009LPS-13DI
DMT10H009LPS-13DI-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC098N10NS5ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16419
ČÍSLO DIELU
BSC098N10NS5ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP4010SK3-13
MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
IRFBE30STRLPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
