FDP8441

Výrobca Číslo produktu:

FDP8441

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDP8441-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Podrobný popis:

N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

14458 Ks Nové Originálne Na Sklade

12946479

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDP8441 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Balenie

Bulk

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

40 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

23A (Ta), 80A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

280 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

15000 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

300W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-220-3

Balenie / puzdro

TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

187

Iné mená

FAIFSCFDP8441

2156-FDP8441

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

fairchild-semiconductor

FQPF8N90C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQPF2N70

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F

fairchild-semiconductor

FCPF9N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW