Výrobca Číslo produktu:
FQU5N60CTU
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FQU5N60CTU-DG
Popis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
4040 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947147
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQU5N60CTU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
670 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
695
Iné mená
2156-FQU5N60CTU
FAIFSCFQU5N60CTU
Klasifikácia životného prostredia a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
