Výrobca Číslo produktu:
IRF644B-FP001
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
IRF644B-FP001-DG
Popis:
IRF644B - DISCRETE MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
636 Ks Nové Originálne Na Sklade
12996510
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF644B-FP001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
139W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
151
Iné mená
2156-IRF644B-FP001-600039
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Vendor Undefined
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PMZ1000UN,315
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
PSMN8R7-80PS,127
NEXPERIA PSMN8R7 - N-CHANNEL 80
PHB29N08T,118
NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
