BSC0901NSIATMA1
Výrobca Číslo produktu:

BSC0901NSIATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

BSC0901NSIATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Inventár:

806 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802649
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

BSC0901NSIATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-6
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
BSC0901

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
BSC0901NSIATMA1-DG
Technické listy
BSC0901NSIATMA1

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
5,000
Iné mená
BSC0901NSI
BSC0901NSICT
BSC0901NSIATMA1DKR
BSC0901NSIDKR
BSC0901NSIATMA1TR
BSC0901NSITR-DG
BSC0901NSIATMA1CT
SP000819818
BSC0901NSIDKR-DG
BSC0901NSICT-DG
BSC0901NSI-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
RJK0346DPA-01#J0B
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
RJK0346DPA-01#J0B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.08
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
CSD17576Q5B
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6497
ČÍSLO DIELU
CSD17576Q5B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.45
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDMS0306AS
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
FDMS0306AS-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
CSD17576Q5BT
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
477
ČÍSLO DIELU
CSD17576Q5BT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRF6636TR1

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

epc

EPC2034

GANFET N-CH 200V 48A DIE

infineon-technologies

IPB180N04S4LH0ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPP21N03L G

MOSFET N-CH TO-220