Výrobca Číslo produktu:
IMW120R030M1HXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IMW120R030M1HXKSA1-DG
Popis:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventár:
1690 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801405
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IMW120R030M1HXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolSiC™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
56A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V, 18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.7V @ 10mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+23V, -7V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2120 pF @ 800 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
227W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO247-3-41
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IMW120
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
448-IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1-DG
SP001727390
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
