Výrobca Číslo produktu:
IPA60R099P7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPA60R099P7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventár:
12799765
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPA60R099P7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
31A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 530µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1952 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
29W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-FP
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
IPA60R099
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001658390
2156-IPA60R099P7XKSA1
IFEINFIPA60R099P7XKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP34N65X2M
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
285
ČÍSLO DIELU
IXFP34N65X2M-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.65
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
R6030KNXC7
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1500
ČÍSLO DIELU
R6030KNXC7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.76
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSO301SPHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
