Výrobca Číslo produktu:
IPB072N15N3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB072N15N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
4910 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801285
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB072N15N3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 270µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5470 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB072
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB072N15N3G
IPB072N15N3GATMA1TR
IPB072N15N3 GTR-DG
IPB072N15N3 GCT-DG
IPB072N15N3GATMA1DKR
SP000386664
IPB072N15N3 G-DG
IPB072N15N3GATMA1CT
IPB072N15N3 G
IPB072N15N3 GCT
IPB072N15N3 GDKR-DG
IPB072N15N3 GDKR
2156-IPB072N15N3GATMA1
INFINFIPB072N15N3GATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSO110N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
