Výrobca Číslo produktu:
IPB60R190C6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPB60R190C6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventár:
1265 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800409
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPB60R190C6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 630µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1400 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
151W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IPB60R190
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
IPB60R190C6ATMA1DKR
IPB60R190C6INTR-DG
INFINFIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6
2156-IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6INCT
SP000641916
IPB60R190C6INDKR
IPB60R190C6INDKR-DG
IPB60R190C6INCT-DG
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6ATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCB20N60FTM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2398
ČÍSLO DIELU
FCB20N60FTM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.61
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK20G60W,RVQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK20G60W,RVQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
845
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHB18N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHB18N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1748
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.31
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
