Výrobca Číslo produktu:
IPD090N03LGATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD090N03LGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
94138 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801029
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD090N03LGATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
42W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD090
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGXT
IPD090N03LGINDKR
IPD090N03LGINDKR-DG
IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINTR-DG
IPD090N03LGINCT-DG
IPD090N03LGATMA1TR
INFINFIPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1DKR
2156-IPD090N03LGATMA1
IPD090N03L G
IPD090N03LGINTR
SP000680636
IPD090N03LG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4