IPD530N15N3GBTMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD530N15N3GBTMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD530N15N3GBTMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

13064015
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD530N15N3GBTMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
53mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 35µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
887 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD530N

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD530N15N3 GDKR
IPD530N15N3GBTMA1DKR
IPD530N15N3 GDKR-ND
IPD530N15N3GBTMA1CT
IPD530N15N3 G
SP000521720
IPD530N15N3GXT
IPD530N15N3GBTMA1TR
IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 G-ND
IPD530N15N3 GCT-ND
IPD530N15N3G
IPD530N15N3 GTR-ND

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IPD530N15N3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2668
ČÍSLO DIELU
IPD530N15N3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.61
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FDD86252
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
80199
ČÍSLO DIELU
FDD86252-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SUD25N15-52-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2999
ČÍSLO DIELU
SUD25N15-52-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDD2582
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1256
ČÍSLO DIELU
FDD2582-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PJD30N15_L2_00001
VÝROBCA
Panjit International Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2976
ČÍSLO DIELU
PJD30N15_L2_00001-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPB45N04S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

infineon-technologies

IPW60R041C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3

infineon-technologies

IPP60R099C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

infineon-technologies

IPD50N06S4L08ATMA2

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31