Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IRF1010EZS
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF1010EZS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventár:
Online RFQ
12803222
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF1010EZS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
140W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
IRF1010EZ(S,L)
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF1010EZS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOB470L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AOB470L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB081N06L3GATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5151
ČÍSLO DIELU
IPB081N06L3GATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
HUF75545S3ST
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6270
ČÍSLO DIELU
HUF75545S3ST-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.50
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB85NF55T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
998
ČÍSLO DIELU
STB85NF55T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.22
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB60NF06T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1362
ČÍSLO DIELU
STB60NF06T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPN50R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
IPI076N15N5AKSA1
MV POWER MOS
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF