Výrobca Číslo produktu:
IRF200B211
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IRF200B211-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
4746 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802645
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF200B211 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
170mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.9V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
790 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
80W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF200
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP001561622
INFIRFIRF200B211
2166-IRF200B211-448
2156-IRF200B211
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
IRF6636TR1
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
